meeste diodes
combineren positief als negatief gedoteerde halfgeleiders een pn overgang te creëren . Halfgeleiders gedoteerd opzettelijk toevoegen van onzuiverheden die meer vrije elektronen ( p - type) of minder ( n - type) zijn . Doping verandert de halfgeleider de elektrische eigenschappen .

Gunn diodes
zijn verschillend omdat ze een stuk n - type halfgeleider , maar de inrichting is zwaarder gedopeerd dan de buitenzijde , waardoor een soortgelijk effect . Want er is geen pn junctie , kan worden gesteld dat een Gunn -diode is niet een echte diode .
Functie

Wanneer er een spanning over een Gunn -diode , meeste potentiaalverschil over het centrum , wat zwaarder gedoteerd . Zodra de spanning een bepaald niveau bereikt , een stroompuls wordt gevormd en reist over het inwendige van de diode . Deze puls vermindert het potentiaalverschil over het interieur , waardoor een puls gevormd. Zodra de puls heeft afgelegd over de Gunn diode , kan een andere vorm .
Tuning

Sinds Gunn diodes laten pulsen om een voor een over te steken, in plaats toestaan ​​van een constante stroom , de frequentie van de pulsen is belangrijk . De frequentie van een Gunn -diode wordt vooral bepaald door de dikte van het interieur , zwaar gedoteerde gebied . Aangezien dit niet na constructie kan worden gewijzigd , Gunn diodes moeilijk te stemmen . De Gunn diode te sluiten op een varactor of het in een YIG sfeer zorgt voor een zekere afstemming.
Voorzorgsmaatregelen

Gunn diodes
energie opwekken met een rendement van ongeveer 2 tot 5 procent , wat betekent dat ze geven veel warmte . Hoewel ze zijn gebouwd om hoge temperaturen te weerstaan ​​, is het belangrijk om de Gunn diode gekoppeld aan of ingesloten in een koellichaam om ervoor te zorgen dat het goed werkt voor een lange tijd te hebben .
< Br >