| Bulkstroom verwijst naar de stroom van elektrische lading door het grootste deel van een halfgeleidermateriaal, in tegenstelling tot de stroom van lading aan het oppervlak of langs de randen van het materiaal. Bulkstroom wordt getransporteerd door vrije dragers (elektronen en gaten) die in de halfgeleider worden gegenereerd door thermische energie, optische excitatie of andere middelen.
De bulkstroomdichtheid, J , wordt gegeven door het product van de dragerconcentratie, n , de vervoerdermobiliteit, μ , en het elektrische veld, E :
J =neμE
waar:
* n is de dragerconcentratie (cm
-3
)
* μ is de vervoerdermobiliteit (cm
2
/Vs)
* E is het elektrische veld (V/cm)
Bulkstroom is een belangrijke parameter in halfgeleiderapparaten, omdat deze de hoeveelheid stroom bepaalt die door het apparaat kan stromen. De bulkstroomdichtheid kan worden geregeld door de dragerconcentratie, de dragermobiliteit of het elektrische veld te variëren.
Naast zijn rol in halfgeleiderapparaten is bulkstroom ook belangrijk in een aantal andere toepassingen, zoals fotodiodes, zonnecellen en lichtemitterende diodes (LED's). |
