* EEPROM is een type alleen-lezen geheugen dat meerdere keren kan worden gewist en opnieuw geprogrammeerd. De wis-/schrijfcyclustijd voor EEPROM is echter relatief langzaam, doorgaans in de orde van milliseconden of zelfs seconden.

* Flitser geheugen daarentegen is een soort niet-vluchtig geheugen dat veel sneller kan worden gewist en opnieuw geprogrammeerd dan EEPROM. De cyclustijden voor het wissen/schrijven van flashgeheugen liggen doorgaans in de orde van microseconden of zelfs nanoseconden.

Een ander verschil tussen EEPROM en Flash-geheugen is het aantal wis-/schrijfcycli dat elke technologie kan weerstaan. EEPROM heeft doorgaans een capaciteit van 10.000 tot 100.000 wis-/schrijfcycli, terwijl Flash-geheugen doorgaans een capaciteit heeft van 100.000 tot 1.000.000 wis-/schrijfcycli.

Ten slotte verschillen EEPROM en Flash-geheugen in hun kosten per bit. EEPROM is doorgaans duurder dan Flash-geheugen, hoewel de kosten per bit van beide technologieën de afgelopen jaren zijn gedaald.

Over het algemeen is EEPROM het meest geschikt voor toepassingen waarbij gegevens niet vaak moeten worden opgeslagen en geopend, zoals in configuratie-instellingen of kalibratiegegevens. Flash-geheugen is het meest geschikt voor toepassingen waarbij gegevens snel moeten worden opgeslagen en toegankelijk moeten zijn, zoals in embedded systemen of USB-drives.

Hier is een tabel met een samenvatting van de belangrijkste verschillen tussen EEPROM en Flash-geheugen:

| Kenmerk | EEPROM | Flits |

|---|---|---|

| Cyclustijd wissen/schrijven | Milliseconden naar seconden | Microseconden naar nanoseconden |

| Aantal wis-/schrijfcycli | 10.000 tot 100.000 | 100.000 tot 1.000.000 |

| Kosten per bit | Duurder | Minder duur |

| Meest geschikt voor | Toepassingen waarbij gegevens niet vaak moeten worden opgeslagen en geopend | Applicaties waarbij gegevens snel moeten worden opgeslagen en ontsloten |